英飞凌研发低成本氮化镓芯片获突破

　　参考消息网9月13日报道 据德国《商报》网站9月11日报道，英飞凌公司预计其节能芯片业务将获得强劲推动：这家德国上市公司已开发出一种工艺，能以更低成本生产由创新材料氮化镓制成的芯片。总部位于慕尼黑的英飞凌公司周三宣布了这一消息。

　　英飞凌是全球首家在现有大规模生产环境中掌握氮化镓半导体晶圆技术的供应商。据该公司称，这些晶圆上可容纳的半导体数量是迄今常见晶圆的2.3倍。因此，未来这种元件的价格可能会大幅降低。对客户来说，用氮化镓半导体替代迄今占主导地位的硅半导体将更具吸引力。

　　英飞凌希望以此在快速增长的市场中占据领先地位。约尔情报公司的专家预计，氮化镓功率半导体业务将实现近10倍的增长：从去年的2.6亿美元增至2029年的25亿美元。

　　氮化镓芯片是半导体行业发展的希望之一。由于人工智能的蓬勃发展，半导体正变得越来越重要。据奥姆迪亚公司的市场研究人员称，氮化镓元件可在网络计算机电源内更高效地工作，从而减少数据中心的能量损耗。这降低了所谓服务器的能源需求。由此带来的一个重要附加效应就是计算机的冷却需求减少。

　　但这还不是全部：利用氮化镓芯片，制造商可以为智能手机或电动汽车提供更紧凑、更高效的电池充电装置。不过，到目前为止，这些元件的价格要比业界常见的硅芯片昂贵得多。

　　英飞凌公司首席执行官约亨·哈内贝克表示，氮化镓的优点在于加工过程与硅非常相似。只有一个步骤存在差别，也是迄今导致较高成本的原因，那就是所谓的外延。就硅芯片而言，即在硅衬底材料上生长晶体。而对于氮化镓，这是一个“真正的技术挑战，而且成本非常高”。

　　英飞凌希望通过新工艺长期确保氮化镓芯片的价格不会高于硅半导体。据称，该技术已在位于菲拉赫工厂的试产线上得到验证。目前将根据需求扩大产能。

　　几十年来，科学家们一直在研究氮化镓。长期以来，这种材料主要用于发光二极管。由于成本较高，它在半导体领域难以超越硅。然而，氮化镓的优势正日益占据上风。这种晶体结构材料可传导比硅高得多的电压，因此电流通过器件的速度更快，这意味着电器的充电速度也更快。（编译/焦宇）