发布时间:2023-08-18 10:19
新一期《光学学报》发表特邀综述,透露我国EUV光刻物镜系统光学设计进展
集微网消息,国内光学领域权威期刊《光学学报》第43卷第15期(网络出版2023-08-15)登载题为《极紫外光刻机曝光系统光学设计研究与进展》的特邀综述,北京理工大学光电学院光电成像技术与系统教育部重点实验室李艳秋团队综述了国内外相关科研进展。
该文介绍,2002年,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研制了国内第一套由小视场Schwarzschild物镜构成的EUV光刻原理实验装置,实现了0.75μm特征尺寸的曝光。2017年,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所报道其研制的小视场EUV曝光光学系统,由两面反射镜构成的投影物镜波像差RMS值优于0.75nm,构建了EUV光刻静态曝光装置,获得了32nm线宽的光刻胶曝光图形,建立了EUV光刻关键技术验证及工艺测试平台。
在EUV物镜系统设计上,该文评价国内对匀倍率EUV光刻物镜系统的设计进行大量研究。目前在物镜系统的光学设计方面已经达到国际先进水平。变倍率光刻物镜的光学设计国内外均处于深入研究阶段。北京理工大学和中国科学院长春光学精密机械与物理研究所对NA为0.33和NA为0.55的EUV曝光系统的光学设计进行了长期深入研究,设计方法和设计效果可比肩国际已披露的同类设计。
根据综述总结,目前国内相关研究聚焦在物镜系统和照明系统的设计、公差分析、曝光系统热变形分析及其控制研究,北京理工大学和中国科学院长春光学精密机械与物理研究所长期从事高性能EUV光刻物镜及照明系统的设计研究,设计方法及设计效果与国际披露的同类设计处于相似水平,为我国EUV光刻机的研制奠定了良好的基础、培养输送了大量的人才。